最近，JEDEC固態技術協會發佈了UFS（通用快閃記憶體卡）3.0規範標準。相對於目前的UFS 2.1相比，單通道頻寬達到11.6Gbps，是UFS 2.1的2倍。而UFS的優勢就是雙通道雙向讀寫，接口頻寬最高23.2Gbps，亦就是2.9GB/s，故雙通道的理論傳輸速度最快可達2.9GB/s。
另外，UFS 3.0在互聯層設計上，是嚴格遵守行動產業處理器界面MIPI的規範協議。其支援分區的增多，也令到性能提升。得益於支援最新的NAND Flash，也將功耗變得更低，達到電壓2.5V，加上其對在零下40攝氏度到高溫105攝氏度都能有穩定性，故又有助於無人駕駛方面的發展。在廠商配合方面，三星也已經宣佈在2018年第一季，推出UFS 3.0接口的產品。至於是否出現於Galaxy S9，就暫時未能得知。
來源：jedec