最近,JEDEC固態技術協會發佈了UFS(通用快閃記憶體卡)3.0規範標準。相對於目前的UFS 2.1相比,單通道頻寬達到11.6Gbps,是UFS 2.1的2倍。而UFS的優勢就是雙通道雙向讀寫,接口頻寬最高23.2Gbps,亦就是2.9GB/s,故雙通道的理論傳輸速度最快可達2.9GB/s。
另外,UFS 3.0在互聯層設計上,是嚴格遵守行動產業處理器界面MIPI的規範協議。其支援分區的增多,也令到性能提升。得益於支援最新的NAND Flash,也將功耗變得更低,達到電壓2.5V,加上其對在零下40攝氏度到高溫105攝氏度都能有穩定性,故又有助於無人駕駛方面的發展。在廠商配合方面,三星也已經宣佈在2018年第一季,推出UFS 3.0接口的產品。至於是否出現於Galaxy S9,就暫時未能得知。
來源:jedec