Samsung Galaxy Note 9 支援最多 512GB 內置儲存空間，再加 512GB microSD 卡可製造高達 1TB 的儲存空間，但是 Samsung 的儲存晶片開發部門成功開發全新 eUFS 2.1 晶片，將手機內置儲存空間推進到 1TB。

Samsung 宣佈將會量產業界第一款 1TB eUFS 2.1 的快閃儲存晶片，量產正在開始，這代表手機內部儲存空間可以突破到 1TB，Samsung 記憶體市場部副總裁 Cheol Choi 預期在次世代流動筆電用戶體驗扮演重要角色。

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Samsung 以圖表比較，Samsung 1TB eUFS 2.1 儲存晶片的連續讀取速度高達 1000MB/s，是一般 microSD 卡的 10 倍、連續寫入 260MB/s，隨機讀取速度高達 58000 IOPS，隨機寫入速度高達 50000 IOPS。

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