超越 512GB 界限！Samsung 推 1TB eUFS 2.1 快閃儲存晶片！ Android 即時新聞 科技 by PLAN - 2019-01-30 Samsung Galaxy Note 9 支援最多 512GB 內置儲存空間，再加 512GB microSD 卡可製造高達 1TB 的儲存空間，但是 Samsung 的儲存晶片開發部門成功開發全新 eUFS 2.1 晶片，將手機內置儲存空間推進到 1TB。 Samsung 宣佈將會量產業界第一款 1TB eUFS 2.1 的快閃儲存晶片，量產正在開始，這代表手機內部儲存空間可以突破到 1TB，Samsung 記憶體市場部副總裁 Cheol Choi 預期在次世代流動筆電用戶體驗扮演重要角色。 [the_ad_placement id=”ad2″] Samsung 以圖表比較，Samsung 1TB eUFS 2.1 儲存晶片的連續讀取速度高達 1000MB/s，是一般 microSD 卡的 10 倍、連續寫入 260MB/s，隨機讀取速度高達 58000 IOPS，隨機寫入速度高達 50000 IOPS。 [the_ad_placement id=”ad2″] 隨機新聞18歲女腹痛廁所生下男嬰 怕被發現扔出3樓窗外【備用機可選】NOKIA 3.2 抵港 HK$1,398 發售，6.26吋超大芒擁有兩日續航力 ！【著數情報】大家樂旗下餐廳推出：滿HK$30或減HK$10優惠 (至11月6日)【電鍍拋光/漸變色調】KEF推出兩款新限量藍牙喇叭 MUO Fluid及MUO Metal 1,432
