日前小編才報導過 《96層 3D NAND 產量將大增，供求SSD價格或持續低位》，今日到128層方面有新突破。外媒報導，WDC 與 東芝已開發出了128層的 3D NAND FLASH。而按照東芝的命名法則，64層為 BiCS-3，96層為 BiCS-4，而128層的 3D NAND FLASH 而言或將會是 BiCS-5。128層新技術與 BiCS-4相比，將多出32層即代表容量將輕鬆提升三分之一。
至於生產方面，消息指與128層相關的產品有望於2020年底投產，而量產將會在於2021年。據表示 BiCS-5 將採用陣列下電路（CuA）設計，邏輯電路位於晶片的底部，而數據層堆疊在其上方。BiCS-5 閃存顆粒能夠在1.2Gb/s 的IO 頻寬下運行，讀取延遲低至45 微秒。分析指 WDC 是使用 4KB 頁面來訪問 128 層晶片上的數據，而非行業所限的 16KB 標準頁面。消息稱如果升級到每單元4-bit的QLC，更能進一步將單芯容量提升至682Gb。
富國銀行 Wells Fargo 集團深分析師Aaron Rakers表示，假如模具尺寸為66平方毫米、密度為7.8Gb /平方毫米，那WDC與東芝將實現業內最高的NAND密度，簡單而言就是僅需上一代85%的晶圓，就能完成當前所需的供應任務。而與非CuA 技術相比，芯片尺寸可縮小15％ 。與96 層的BiCS-4 相比，BiCS-5 可讓模具總體縮小23％。
來源：techpowerup
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