韓國 SK 海力士（SK Hynix Semiconductor Inc) 宣布開發適用第三代 10 納米 (1Zmn) 的 16Gb DDR4(Double Data Rate 4) DRAM 顆粒。計劃年內完成批量生產，從明年開始正式供應，積極應對市場需求。1Znm 製程已是海力士在 10nm 工藝節點中的第三代工藝技術，這款記憶體實現了單一晶片標準內業界最大容量的 16Gb，也是在一張晶圓中能生產的儲存量，是現存顆粒 DRAM 中最大容量的產品。
與第二代 1Ynm 產品相比，SK 海力士的 1Znm 製程提高了 27% 產量，並且還不需要超高價的EUV（極紫外光刻）工藝的情況下進行生產，極具性價比。同時與 1Ynm 的 8Gb 顆粒相比，1Zmn 功耗降低了約40%，最高輸速率更可以提升到 3200Mbps，這是 DDR4 規格內最高速度。另外由於海力士在新工藝中，還引入了新的設計技術，並將DRAM操作的關鍵要素靜電容量（Capacitance）最大化，第三代產品將提高了動作穩定性。
SK海力士表示，「第三代 10 納米級 DDR4 DRAM 擁有業界最高水平的容量和速度，再加上功耗，最適合於購買高性能/高容量DRAM 客戶的需求。」現時 DDR4 顆粒三大廠商中，SK海力士是最遲公佈這項技術的公司，美光早在8月份時就宣佈 1Znm 製程量產，而三星也在3月份時宣佈 1Znm 製程的量產，不過當時三星稱是用於 8GB 顆粒，而美光及 SK 海力士就用於 16Gb 顆粒。這項技術有助主流記憶體容量的提升，有望讓單面 16 GB及雙面 32GB RAM 變得更普遍，價格也更具性價比。
來源：skhynix
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