今個星期三，東芝記憶體公司 (Toshiba Memory Corporation) 與Western Digital公司共同宣佈，於日本三重縣四日市的6號晶圓廠 (Fab 6) 舉行開幕儀式。並表示，該晶圓廠為新設先進半導體製造廠區，當中更設有記憶體研發中心 (Memory R&D Center)。

據資料顯示，東芝記憶體公司於2017年2月開始興建6號晶圓廠，作為生產3D NAND Flash（快閃記憶體）的專用廠區。同時東芝記憶體公司與Western Digital已針對沉積 (deposition) 與蝕刻 (etching) 等關鍵生產製程部署先進製造設備。新晶圓廠在本月初已開始量產96層3D NAND Flash。

另外，面對3D NAND Flash在企業伺服器、數據中心及智能手機的需求不斷增加，未來幾年這些需求將持續擴大；為因應此市場趨勢，可望進一步投資擴大產能。而與6號晶圓廠相毗鄰的記憶體研發中心已於今年3月開始營運，負責研發並推動3D NAND Flash的發展工作。雙方表示，將持續推動並擴展雙方在記憶體市場的領導地位，積極開發各項計畫以強化競爭力，推動3D NAND Flash的共同開發，並根據市場趨勢規劃資本的投放。

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