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東芝與WD共同宣佈,日本6號晶圓研發廠開幕!


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今個星期三,東芝記憶體公司 (Toshiba Memory Corporation) 與Western Digital公司共同宣佈,於日本三重縣四日市的6號晶圓廠 (Fab 6) 舉行開幕儀式。並表示,該晶圓廠為新設先進半導體製造廠區,當中更設有記憶體研發中心 (Memory R&D Center)。


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據資料顯示,東芝記憶體公司於2017年2月開始興建6號晶圓廠,作為生產3D NAND Flash(快閃記憶體)的專用廠區。同時東芝記憶體公司與Western Digital已針對沉積 (deposition) 與蝕刻 (etching) 等關鍵生產製程部署先進製造設備。新晶圓廠在本月初已開始量產96層3D NAND Flash。


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另外,面對3D NAND Flash在企業伺服器、數據中心及智能手機的需求不斷增加,未來幾年這些需求將持續擴大;為因應此市場趨勢,可望進一步投資擴大產能。而與6號晶圓廠相毗鄰的記憶體研發中心已於今年3月開始營運,負責研發並推動3D NAND Flash的發展工作。雙方表示,將持續推動並擴展雙方在記憶體市場的領導地位,積極開發各項計畫以強化競爭力,推動3D NAND Flash的共同開發,並根據市場趨勢規劃資本的投放。


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Leo Chan(傳媒邀請及新聞稿:leo@gmeida.com)
Leo Chan(傳媒邀請及新聞稿:[email protected]
修讀過「傳媒道德與法規」。無論是資訊科技界,還是日常生活事,一直堅守住作為記者的職責。中立客觀,發揮傳媒第四權,資訊第五權,為讀者帶來更有趣熱門的科技新鮮事。 https://www.facebook.com/reporterleohk/
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