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【記憶體新突破】傳WDC與東芝:共同開發出128層 3D NAND Flash!


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日前小編才報導過 《96層 3D NAND 產量將大增,供求SSD價格或持續低位》,今日到128層方面有新突破。外媒報導,WDC 與 東芝已開發出了128層的 3D NAND FLASH。而按照東芝的命名法則,64層為 BiCS-3,96層為 BiCS-4,而128層的 3D NAND FLASH 而言或將會是 BiCS-5。128層新技術與 BiCS-4相比,將多出32層即代表容量將輕鬆提升三分之一。


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至於生產方面,消息指與128層相關的產品有望於2020年底投產,而量產將會在於2021年。據表示 BiCS-5 將採用陣列下電路(CuA)設計,邏輯電路位於晶片的底部,而數據層堆疊在其上方。BiCS-5 閃存顆粒能夠在1.2Gb/s 的IO 頻寬下運行,讀取延遲低至45 微秒。分析指 WDC 是使用 4KB 頁面來訪問 128 層晶片上的數據,而非行業所限的 16KB 標準頁面。消息稱如果升級到每單元4-bit的QLC,更能進一步將單芯容量提升至682Gb。


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富國銀行 Wells Fargo 集團深分析師Aaron Rakers表示,假如模具尺寸為66平方毫米、密度為7.8Gb /平方毫米,那WDC與東芝將實現業內最高的NAND密度,簡單而言就是僅需上一代85%的晶圓,就能完成當前所需的供應任務。而與非CuA 技術相比,芯片尺寸可縮小15% 。與96 層的BiCS-4 相比,BiCS-5 可讓模具總體縮小23%。


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來源:techpowerup


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Leo Chan(傳媒邀請及新聞稿:leo@gmeida.com)
Leo Chan(傳媒邀請及新聞稿:[email protected]
修讀過「傳媒道德與法規」。無論是資訊科技界,還是日常生活事,一直堅守住作為記者的職責。中立客觀,發揮傳媒第四權,資訊第五權,為讀者帶來更有趣熱門的科技新鮮事。 https://www.facebook.com/reporterleohk/
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