韓國 SK 海力士（SK Hynix Semiconductor Inc) 宣布開發適用第三代 10 納米 (1Zmn) 的 16Gb DDR4(Double Data Rate 4) DRAM 顆粒。計劃年內完成批量生產，從明年開始正式供應，積極應對市場需求。1Znm 製程已是海力士在 10nm 工藝節點中的第三代工藝技術，這款記憶體實現了單一晶片標準內業界最大容量的 16Gb，也是在一張晶圓中能生產的儲存量，是現存顆粒 DRAM 中最大容量的產品。 132828